實際(ji)工(gong)況模擬失(shi)效(xiao)分析系統(tong)供應(ying)

實際(ji)工(gong)況模擬失(shi)效(xiao)分析系統(tong)在模擬絕緣子(zi)實(shi)際工(gong)作環(huan)境下(xia)的老(lao)化性(xing)能綜(zong)合試驗(yan)方(fang)面(mian)主(zhu)要(yao)包括：大(da)氣(qi)環(huan)境的汙(wu)垢(gou)（防(fang)塵(chen)試驗(yan)、降(jiang)雨（淋(lin)雨(yu)試(shi)驗(yan)）、太(tai)陽輻射(she)（光照(zhao)老化試(shi)驗(yan)放(fang)電(dian)（局放試(shi)驗(yan)）、高(gao)溫(wen)高(gao)濕（高(gao)低(di)溫交(jiao)變(bian)濕熱(re)試驗(yan)、大(da)氣(qi)中(zhong)腐蝕(shi)性成(cheng)分(fen)老化、復(fu)合鹽霧(wu)腐(fu)蝕(shi)試等(deng)。

對(dui)於瓷絕緣子(zi)材(cai)質在(zai)直流電(dian)壓下(xia)的老(lao)化成(cheng)因(yin)，有人(ren)認(ren)為(wei)，瓷(ci)質中(zhong)的(de)堿 金(jin)屬(shu)離(li)子(zi)，特別(bie)是(shi)Na"離(li)子(zi)在(zai)遷(qian)移(yi)過(guo)程中(zhong)由於獲得電(dian)子而(er)形(xing)成(cheng)體(ti)積(ji)比離(li)子(zi)體(ti)積(ji)大(da)兩(liang)倍(bei)的原(yuan)子(zi)，局部膨(peng)脹應(ying)力致(zhi)使絕緣子(zi)破裂主(zhu)要(yao)出現(xian)在(zai)絕緣子(zi)頭部）另(ling)外壹種觀點(dian)認為(wei)，離(li)子(zi)遷(qian)移(yi)造成(cheng)了瓷件(jian)內部電(dian)阻(zu)率不(bu)同的(de)導電(dian)層，導致不均(jun)勻的(de)電(dian)場(chang)分布(bu)，長(chang)時(shi)間(jian)作用後而(er)出(chu)現擊其穿(chuan)。為(wei)了驗(yan)證(zheng)其在(zai)運行(xing)狀(zhuang)態(tai)下(xia)的老(lao)化成(cheng)因(yin)，電(dian)氣制造商(shang)必須對(dui)其進(jin) 行(xing)自(zi)然(ran)大(da)氣(qi)環(huan)境中的工(gong)作狀(zhuang)態的(de)壹種模擬測試。